Araştırma ve Geliştirme

geçerli yer: Ev » Araştırma & Geliştirme

ARAŞTIRMA & GELİŞTİRME

HerYıl, Ar-Ge fonları olarak büyük bir miktar yatırım yapıyoruz. Biz her zaman yeni ürünlerin ve yeni teknolojilerin araştırmasını ve geliştirilmesini firmamızın operasyonunun en önemli önceliği olarak alıyoruz.OAR-GE mühendisleri çok fazla beceri ve deneyim oldus, Bu Ar-Ge özelleştirilmiş üretim hizmetlerini müşteriler için sunuyoruz.

Ti3sic2 sinterleme hedefi

TI3SIC2, katmanlı yapı oluşturmak için TI C Octahedron tarafından bağlı düzlemsel SI katmanından oluşan altıgen kristaldir.
TI3SIC2 gibi metal, özel bir termal iletkene sahiptir, kolay işlemesi kolaydır, nispeten \"yumuşak \", termal şoka duyarlı değildir, iyi oksidasyon direncine sahip seramikler gibi, en önemlisi yüksek sıcaklıkta yüksek mukavemeti korur. TI3SIC2 Seramik ve metalin özelliklerini, yüksek elastik modülün özelliklerini, yüksek erime noktası ve yüksek sıcaklık kararlılığı benzer seramiklerin özelliklerini yansıtır;

Karakter:

Yoğunluk: 4.64g / cm2,
Direnç: ~ 10Ω
Renk farkı yok, nokta yok.

SORMAK

ZRS2 tozu,% 99.9, -100mesh

Zirkonyum disülfit (ZRS2) katmanlı bir yapıya sahiptir ve Grup IV Geçiş Metal Dichalcogenides (TMDC'ler) aittir. ZRS2, termodinamik olarak, yüksek hassasiyet ve düşük maliyetli üretim ile çevre dostudur. ZRS2 monolayers, nispeten yüksek hareketliliğe sahip açık N tipi taşıma özelliklerini sergilemiştir.
Uygulamalar:

ZRS2, oda sıcaklığında daha büyük taşıyıcı hareketliliği ve düşük güçlü cihazlar için arzulanan MOS2'den daha yüksek akım yoğunluğu nedeniyle optoelektronik için umut verici bir malzemedir. 1.7 EV civarında dolaylı bir bandgap ve 2,0 EV çevresinde 2,0 EV çevresinde, ZRS2, termoelektrik, Schottky güneş hücreleri, fotodetektörler, fets ve katalitik hidrojen üretiminde uygulamaları bulur.
ZRS2 2D nanomalzemelerinde, yüksek elektronlu bir hareketliliğe, yani, 1200 cm2 / vs, bu, yaygın olarak araştırılan MOS2'nin (340 cm2 / vs) 'den üç kat daha fazla tham. ZRS2'ye göre FET cihazları, elektronik hassasiyet ve mükemmel yarı iletken özelliklere sahiptir. Hesaplamalar, ZRS2 bazlı tabanlı tünelleme alanları transistörlerinin (TFET'lerin), düşük güçlü cihazlarda büyük uygulama potansiyelinin yükselmesini sağlayan, 800 μA / μm (100 kat daha yüksek), 800 μA / μm (100 kat daha yüksek) step akım yoğunluklarına sahip olabileceğini göstermiştir.

SORMAK

IZO Püskürtme Hedefi,% 99.9

Ürün Adı: İndiyum Çinko Oksit (IZO) Püskürtme Hedefleri
Formül: IZO (IN2O3 / ZnO, 90/10 ağırlıkça%)
Saflık:% 99.9
Şekil: Dikdörtgen Hedefler, Özel Yapılmış
Boyutu: 249.6 * 125 * 6mm
IZO seramik hedefi (saflık ve yoğunlukta% 99,99) ağırlıkça% 90'ı içerir.% 90 LN2O3 ve% 10. Film birikimi için doğrudan akım (DC) Magnetron Püskürtme sistemi kullanılmaktadır. İyon destekli biriktirme (IAD) tekniği, farklı DC güçleri (50 W, 80 W ve 100 W gibi) tarafından hazırlanan bu filmlerin elektriksel, optik ve yapısal özellikleri olmadan, olan optimum bir IZO biriktirme koşuludir. Esnek organik ışık yayan cihaz (OLED) uygulamaları için geliştirilmiştir.

SORMAK

Hafniyum karbür tozu

Hafnyum karbür tozu malzemesi, moleküler formül HFC, sodyum klorür tipi kübik kristal sistemi, gri-siyah toz, erime noktası 3890 ℃, teorik yoğunluk 12.7 g / cm3, termal iletkenlik 6.28 【W (E · K) -1】 (20) ℃), hacim direnci 1.95 * 10-4Ω · cm (2900 ℃), termal genleşme katsayısı 6.73 * 10-6 / ℃, 40 ~ 50 / μΩ · cm, elastik modülüs 35.9 * 103MPA, basınç dayanımı 1380mpa. Yeniden giriş uzay roketlerinin burun konileri olarak kullanılabilecek roket nozulları için çok uygundur. Seramik ve diğer endüstrilerde kullanılır.

SORMAK

Ar-Ge alanları

Kavukojenit Yeni Malzemeler
Nano tozu yeni malzemeler
Kaplama Filmi Yeni Malzemeler

ARAŞTIRMA & GELİŞTİRME

Ti3sic2 sinterleme hedefi

ZRS2 tozu,% 99.9, -100mesh

IZO Püskürtme Hedefi,% 99.9

Hafniyum karbür tozu

İnce Film Kaplama malzemeleri Hızlı Gezinme

İnorganik Toz Malzemeleri Hızlı Gezinme

Bilgi

Küresel ajanlar