Yılama: Web sitemizi ziyaret etmenizi bekliyoruz, herhangi bir soruşturma, lütfen bize ulaşın. Ödeme ile ilgili iş, lütfen satıcımızla onaylayın, hoş bir gezi yapın.
Türk dili  |
Karakteristik
Hafnyum (iv) oksit, Formula HFO ile inorganik bileşiktir.2. Hafnia olarak da bilinir, bu renksiz katı, hafniyumun en yaygın ve stabil bileşiklerinden biridir. 5.3 ~ 5.7 EV'lik bir bant boşluğu olan bir elektrik yalıtkandır. Hafnyum dioksit, hafniyum metal veren bazı işlemlerde bir ara maddedir.
Kimyasal Formül: HFO2
Molar kütlesi: 210.49 g / mol
Görünüş: beyaz zemin
Yoğunluk: 9.68 g / cm3, sağlam
Erime Noktası: 2,758 ° C (4,996 ° F; 3,031 K)
Kaynama noktası: 5.400 ° C (9,750 ° F; 5,670 K)
Suda çözünürlük: çözünmez
Manyetik duyarlılık (χ): - 23.0 · 10-6santimetre3/ mol
Başvuru
Hafnia, optik kaplamalarda ve DRAM kapasitörlerinde ve ileri metal oksit-yarı iletken cihazlarda yüksek κ dielektrik olarak kullanılır.
Son yıllarda, hafniyum oksit (doped ve oksijen eksikliği olan hafniyum oksit), dirençli anahtarlama anılarına ve CMOS uyumlu ferroelektrik alan efekti transistörleri (FEFET bellek) ve bellek fişleri için olası bir aday olarak ilave bir aday olarak ilave bir ilgi çekiyor.
Çok yüksek erime noktası nedeniyle, Hafnia, bu tür cihazların izolasyonunda, 2500 ° C'ye kadar olan sıcaklıklarda çalışabilen termokupllar halinde bir refrakter malzeme olarak da kullanılır.
Binaların pasif soğutulmasında kullanılmak üzere çok katmanlı Hafnyum dioksit, silika ve diğer malzemeler geliştirilmiştir. Filmler, güneş ışığını yansıtır ve Dünya'nın atmosferinden geçen dalga boylarında ısıyı yansıtır ve aynı koşullar altında çevre malzemelerden birkaç derece sıcaklıklar olabilir.
Karakteristik
Hafnyum (iv) oksit, Formula HFO ile inorganik bileşiktir.2. Hafnia olarak da bilinir, bu renksiz katı, hafniyumun en yaygın ve stabil bileşiklerinden biridir. 5.3 ~ 5.7 EV'lik bir bant boşluğu olan bir elektrik yalıtkandır. Hafnyum dioksit, hafniyum metal veren bazı işlemlerde bir ara maddedir.
Kimyasal Formül: HFO2
Molar kütlesi: 210.49 g / mol
Görünüş: beyaz zemin
Yoğunluk: 9.68 g / cm3, sağlam
Erime Noktası: 2,758 ° C (4,996 ° F; 3,031 K)
Kaynama noktası: 5.400 ° C (9,750 ° F; 5,670 K)
Suda çözünürlük: çözünmez
Manyetik duyarlılık (χ): - 23.0 · 10-6santimetre3/ mol
Başvuru
Hafnia, optik kaplamalarda ve DRAM kapasitörlerinde ve ileri metal oksit-yarı iletken cihazlarda yüksek κ dielektrik olarak kullanılır.
Son yıllarda, hafniyum oksit (doped ve oksijen eksikliği olan hafniyum oksit), dirençli anahtarlama anılarına ve CMOS uyumlu ferroelektrik alan efekti transistörleri (FEFET bellek) ve bellek fişleri için olası bir aday olarak ilave bir aday olarak ilave bir ilgi çekiyor.
Çok yüksek erime noktası nedeniyle, Hafnia, bu tür cihazların izolasyonunda, 2500 ° C'ye kadar olan sıcaklıklarda çalışabilen termokupllar halinde bir refrakter malzeme olarak da kullanılır.
Binaların pasif soğutulmasında kullanılmak üzere çok katmanlı Hafnyum dioksit, silika ve diğer malzemeler geliştirilmiştir. Filmler, güneş ışığını yansıtır ve Dünya'nın atmosferinden geçen dalga boylarında ısıyı yansıtır ve aynı koşullar altında çevre malzemelerden birkaç derece sıcaklıklar olabilir.
